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单室三源金属热蒸发BitGet最新app下载

文章来源:admin 更新时间:2022-02-07

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  主要用途:
  用于制备导电薄膜,半导体薄膜,铁电薄膜,光学薄膜等。
  系统组成:
  该设备由真空室、真空排气系统、真空测量系统、电阻蒸发源系统、基片台、样品传递、烘烤照明、等部分组成。
  技术指标:
  极限真空度:≤6.7×10 Pa
  恢复真空时间:从1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min
  系统漏率:6. 7×10-7Pa.L/S;
  真空室:Ф450 x350mmU型真空室 ,
  蒸发源:3个,采用电阻蒸发舟的方式,至下向上蒸发镀膜。蒸发舟与样吕之间的距离为150~200mm;
  蒸发舟最高温度为:室温~800℃,控温精度:±1℃;室温~1300℃,控温精度:±2℃;功率:1KW;
  样品尺寸:100×50×(1~2)(厚)毫米,每次只镀一个样品,样品可旋转加热;
  保证膜的牢固度,样品在蒸镀过程中,要加热到400℃(最高温度)。
  工作架类型及尺寸:拱型夹具Ø300或高温炉盘Ø100
  烘烤温度:400℃数显自动热偶控温(高温炉盘,数显自
  动热偶控温可加热到700℃)
  电阻蒸发源:电压5V,10V,功率2.5KW,水冷电极1~2对。
  石英晶振膜厚控制仪:膜厚测量范围0-999999Å

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