单室三源金属热蒸发BitGet最新app下载
文章来源：admin 更新时间：2022-02-07
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主要用途：
用于制备导电薄膜，半导体薄膜，铁电薄膜，光学薄膜等。
系统组成:
该设备由真空室、真空排气系统、真空测量系统、电阻蒸发源系统、基片台、样品传递、烘烤照明、等部分组成。
技术指标：
极限真空度：≤6.7×10 Pa
恢复真空时间：从1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min
系统漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；
真空室：Ф450 x350mmU型真空室 ，
蒸发源：3个，采用电阻蒸发舟的方式，至下向上蒸发镀膜。蒸发舟与样吕之间的距离为150～200mm；
蒸发舟最高温度为:室温～800℃，控温精度：±1℃；室温～1300℃，控温精度：±2℃；功率：1KW；
样品尺寸：100×50×（1～2）（厚）毫米，每次只镀一个样品，样品可旋转加热；
保证膜的牢固度，样品在蒸镀过程中，要加热到400℃（最高温度）。
工作架类型及尺寸：拱型夹具Ø300或高温炉盘Ø100
烘烤温度：400℃数显自动热偶控温（高温炉盘，数显自
动热偶控温可加热到700℃）
电阻蒸发源：电压5V，10V，功率2.5KW，水冷电极1~2对。
石英晶振膜厚控制仪：膜厚测量范围0-999999Å
辽公网安备 21010302000036号