CK450磁控溅射沉积系统

　　主要用途：

　　用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。

　　系统组成:

　　主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、控制系统、膜厚测试系统、上盖升降机构、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。

　　技术指标：

　　极限真空度6.7×10-5Pa，系统漏率：1×10-7PaL/S；

　　恢复真空时间：40分钟可达6.6×10 Pa（短时间暴露

　　大气并充干燥氮气后开始抽气）

　　真空室：圆形真空室，尺寸450× 350mm

　　样品台：尺寸为3英寸×3英寸，厚度3.2mm的平面样品；

　　磁控靶：有效溅射区为3英寸×3英寸，数量：2支，标准型永磁靶，1支，标准型强磁靶，钎焊间接水冷结构；靶直径Φ50㎜，靶内水冷。靶基距为50～90mm连续可调（手动），并有调位距离指示

　　镀膜方式：磁控靶为直靶，向上溅射成膜；

　　样品基片: 负偏压 -200V

　　样品转盘：在基片转盘上有7个基片位置放置样品托（样品托可以分别放置2英寸），其中四个工位开孔安装加热炉。为了在2英寸基片台范围内提高膜厚均匀性，基片除了公转外，在镀膜位置实现自转。基片的温度从室温至600℃（硅片上表面的温度，只需标定一次即可）连续可调可控，四个加热器可同时工作，每只有一台加热控温电源，在真空下可轮流任意互换工作。样品转盘由伺服电机驱动，计算机控制其公转到位及样品自转；

　　两套挡板系统：基片挡板与靶挡板；靶挡板共有三套，动密封，散齿轮传动，手动控制；样品挡板（１套），磁力拨叉，手动控制气路系统:质量流量控制器2路

　　石英晶振膜厚控制仪：膜厚测量范围0-999999Å

　　可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统，计算机控制系统的功能：对位移和样品公转速度随时间的变化做实时采集，对位移误差进行计算，以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换，可实现换位定点镀膜。
控制系统采用工控机，自动控制镀膜。