主要用途：
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
系统组成:
主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、控制系统、膜厚测试系统、上盖升降机构、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。
技术指标：
极限真空度6.7×10-5Pa，系统漏率：1×10-7PaL/S；
恢复真空时间：40分钟可达6.6×10 Pa（短时间暴露大气并充干燥氮气后开始抽气）
真空室：圆形真空室，尺寸450× 350mm
样品台：尺寸为3英寸×3英寸，厚度3.2mm的平面样品；
样品台最高温度的加热温度为600°C±1°C程序控温；
样品实现自转（均匀性）和公转（换位），自转转速：0～50转/分；
磁控靶：有效溅射区为3英寸×3英寸，数量：3支，标准型
永磁靶，钎焊间接水冷结构；
镀膜方式：磁控靶为直靶，向上溅射成膜；
基片: 负偏压 -200V
气路系统: 质量流量控制器2路
石英晶振膜厚控制仪：膜厚测量范围0-999999Å
可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统。
计算机控制系统的功能：对位移和样品公转速度随时间的变化做实时采集，对位移误差进行计算，以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换，可实现换位定点镀膜、电阻蒸发镀膜。
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