MBE分子束外延
文章来源：pengchengzk 更新时间：2020-02-03
设备用途
分子束外延主要研究的是不同结构或不同材料的晶体和超晶格的生长。该法生长温度低，能严格控制外延层的层厚组分和掺杂浓度。
设备组成
该系统主要由真空获得系统、外延生长系统（外延室）、快速进样系统（进样室）、高能电子衍射系统、电器控制系统、计算机控制系统等组成。
沉积室 1套
该室主要是分子束外延沉积：极限真空度： 2x10-8Pa；真空室检漏漏率：小于5x10-8 Pa.L/S；短时间暴露大气并充干燥氮气抽至：1.0x10-5Pa,小于40分钟；
进样室 1套
极限真空： 6.6×10－5Pa；真空检漏漏率：10－7Pa.L/S
短时间暴露大气并充干燥氮气抽至：5.0x10-4Pa,小于40分钟
样品库 1套
一次可以放进四块样品，样品为玻璃，尺寸为50×50×3mm。
探头规夹持、移动驱动机构 1套
移动距离120mm，焊接波纹管实现动密封，手动操作。
束流测量组件: 1套
用以测量各个束源的束流值。其工作模式为：需要测量束源炉束流时，将探头移到样品的正下方，完成测量后，探头后退，让出蒸发通道。
计算机控制系统
镀膜过程采用计算机控制，由计算机、软件、硬件接口液晶显示器等组成。
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