PECVD

文章来源：pengchengzk 更新时间：2017-06-20

该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺研发设备，用来在硅片上沉积SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，镀膜样品为156×156mm基片（并向下兼容）。
设备概述：
1.系统采用单室方箱式结构，手动前开门；
2.真空室组件及配备零部件全部采用优质不锈钢材料制造（304），氩弧焊接，
表面采用喷玻璃丸+电化学抛光钝化处理配有可视观察窗口，并带挡板，
真空尺寸为350mm×350×280mm；
3.极限真空度：≤6.67x10-4 Pa (经烘烤除气后，采用分子泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa，35分钟可达到
（采用分子泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)； 停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa（采用分子
泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)；
4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；
5.样品加热最高加热温度：300℃，温控精度：±1°C，采用日本进口控温表进行控温；
6.喷淋头尺寸：200×200mm，喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调，并带有标尺指数显示；
7. 沉积工作真空：13-1300Pa；
8.气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；
9.射频电源：频率 13.56MHz，最大功率500W，全自动匹配；
10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路气体，共计使用7个质量流量控制器控制进气。
11. 系统设有硅烷尾气处理系统(高温裂解方式)。