ICP刻蚀机

文章来源：admin 更新时间：2022-02-08

一．系统概况
该系统主要用于常规尺寸样片（不超过Φ6）的刻蚀，可刻蚀的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、
硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻胶、半导体材料、部分金属等。设备具有选择比高、刻
蚀速率快、重复性好等优点。具体描述如下：
1.系统采用单室方箱式结构，手动上开盖结构；
2.真空室组件及配备零部件全部采用优质铝材料制造，真空尺寸为400mm×400×197mm，
内腔尺寸Ф340mm×160mm；
3.极限真空度：≤6.6x10^-4 Pa (经烘烤除气后，采用FF160/600分子泵抽气)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10^-7 Pa.l/S；
系统从大气开始抽气到5.0x10^-3 Pa，20分钟可达到（采用分子泵抽气)；
停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa；
4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；
5.样品水冷：由循环水冷水机进行控制；
7.ICP头尺寸：340mm mm，喷淋头与样品之间电极间距50mm；
　 8. 沉积工作真空：1-20Pa；
9. 气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；
10. 射频电源：2台频率 13.56MHz，最大功率600W，全自动匹配；
11. 6路气体，共计使用6个质量流量控制器控制进气。
　 气体：氦气/氩气/氧气/四氟化碳/六氟化硫/三氟甲烷
12. 刻蚀速率
SiO2：≥0.5μm/min
Si：≥1μm/min
光刻胶：≥1μm/min
13. 刻蚀不均匀性：
优于±5%（Φ4英寸范围内）
优于±6%（Φ6英寸范围内）
　13. 选择比
　　 CF4的选择比为50,