CK300三靶磁控溅射（光纤样品）

文章来源：admin 更新时间：2022-02-07

设备用途：
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。配有阳极层离子源进行清洗和辅助沉积，同时设备具有反溅射清洗功能，以提高膜的质量和牢固度。
设备组成
系统主要由溅射真空室、永磁磁控溅射靶（三个靶）、单基片加热台、直流电源、射频电源、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。
技术指标：
1、采用单室D型前开门结构，换样进样操作方便，不锈钢材料和真空材料。
2、极限真空度：溅射室极限真空度≤5×10-5Pa；工作真空度可达到：5×10-4Pa； 压升率：停泵关机12小时后真空度≤10Pa； 系统漏率：5×10-7PaL/S；
3、磁控靶及电源：3英寸磁控靶3个，其中2个为标准磁场磁控靶，1个为强磁场磁控靶。磁控靶即可直流也可射频；RF电源3台，功率600w，13.56MHz，自动匹配；靶与样品之间的距离为40mm～120mm
4、样品具有反溅射功能，可对样品进行镀前预清洗。
5、设备配有阳极层离子源，可对样品进行清洗，同时，可在镀膜时，对样品进行辅助沉积。
6、工艺气体：工作气路2路：独立质量流量控制器2路，用于反应气体进气和氩气气路，采用MKS质量流量计；具有混气功能；腔内气压可测可调可控。
7、溅射室烘烤照明：采用红外加热除气方式，烘烤温度：150℃。
8、真空室内有衬板，避免溅射材料直接溅射到溅射室真空壁上。
9、设备具有断水断电连锁保护功能，有防止误操作保护功能。